KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列阅读数: 241
KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列,无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP 系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等
RFICP系列离子源应用:
离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
RFICP系列离子源技术参数:
|
型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
|
Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
- 灯丝阴极 |
无 |
无 |
无 |
无 |
|
- 射频功率 |
0.6 kw |
1kw |
1kw |
2kw |
|
离子枪 |
离子束 |
离子束 |
离子束 |
离子束 |
|
- 栅极 |
根据实际应用选配 |
|||
|
- 对齐 |
|
自对准
|
自对准
|
自对准
|
|
- 离子束直径@栅极 |
4cm |
10 或12cm |
14cm |
22cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
LFN 2000 |
LFN 2000 |
LFN 2000 |
|
电源控制 |
RFICP 1510-2-06-LFNA |
RFICP 1510-2-10-LFNA |
RFICP 1510-2-10-LFNA |
RFICP 1510-2-10-LFNA |
|
配置 |
|
|
|
|
|
Cathode / Neutralizer |
LFN1000 or MHC1000 or RFN |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
|
基座 |
法兰或Remote |
法兰或Remote |
法兰或Remote |
法兰或Remote |
|
高度 |
5.0 英寸 |
9.25 英寸 |
9.8英寸 |
11.8 英寸 |
|
直径 |
5.3 英寸 |
7.52 英寸 |
9.8 英寸 |
16.1 英寸 |