KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列
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KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列

KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列,无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等

RFICP系列离子源应用:
离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)

RFICP系列离子源技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

- 灯丝阴极

- 射频功率

0.6 kw

1kw

1kw

2kw

离子枪

离子束

离子束

离子束

离子束

- 栅极

根据实际应用选配

- 对齐

 

自对准

 

自对准

 

自对准

 

- 离子束直径@栅极

4cm

10 或12cm

14cm

22cm

中和器

LFN 2000

LFN 2000

LFN 2000

LFN 2000

电源控制

RFICP 1510-2-06-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

 

 

 

 

Cathode / Neutralizer

LFN1000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

基座

法兰或Remote

法兰或Remote

法兰或Remote

法兰或Remote

高度

5.0 英寸

9.25 英寸

9.8英寸

11.8 英寸

直径

5.3 英寸

7.52 英寸

9.8 英寸

16.1 英寸

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